在现有的同步辐射装置上进行是研究。
当第四代同步辐射装置建成，3-5年的时间，那SRF-FEL-EUV光刻厂技术也很成熟。
基本可以直接投入到7nm、5nm芯片生产制造了。
如今最先进的是第三代同步辐射装置。
就算光刻厂项目的技术验证成功，要生产7nm以下芯片也很难，依旧需要第四代同步辐射装置。
“预计投资250亿左右……”
整个投资不算高！
这还是去掉光刻机的采购。
第四代同步福辐射装置落地，有SRF-FEL-EUV光刻厂，自然研究不需要光刻机了。
即便如此，晶圆厂各方面的投资依旧非常高。
晶圆厂对环境要求极高！
其核心就是稳定！稳定！还是稳定！
一枚指甲盖大小的芯片上，集成几十亿，上百亿的晶体管。
整个晶圆厂的稳定要求无比高！
这是纳米级别的加工。
仅仅是建设晶圆厂，打地基，打基础桩……就需要数千根基础桩。
保证整个晶圆厂核心，不会有任何的一丝一毫的震动。
否则，就是一大批芯片直接报废。
其次就是 “无尘”。
纳米尺度上的工作，即使是最小的物质微粒，也会对脆弱的电路造成破坏。
芯片制造的无尘车间空气清洁度要达到ISO 1级。
具体说就是每立方米空气当中大于0.1微米的微粒数量不得大于10个。
其次，还有对水的需求很大，而且需要净化后的超净水！
生产一个2克重的计算机芯片，大概需要32公斤水资源，一个8寸的晶圆厂，一个小时就需要大概2吨水。
一个大型晶圆厂，一天要上万吨，甚至几万吨水！
是一个小镇一天的用水量！
也就是沅江市有足够的水资源，千湖滩水资源丰富，支撑大型晶圆厂落户完全没问题！
10nm-20nm的芯片制程工艺，仅仅是‘清洗’这个环节，就有200多个步骤。
这种清洗，使用的水也不是普通的水，而是：超净水！
这种水电阻率无限接近18.24兆欧厘米理论极限的超净水！
这种超纯水几乎不导电、不含任何金属离子、接近绝对纯度，可达12个9：99.%
集成电路的集成度越高、线宽越窄，对水的纯度要求就越高。
仅仅是这些环境、水质要求，需要的设备和建筑工艺，都是用钱堆出来的。
一个晶圆厂，几十上百亿的投资很正常。
第四代同步辐装置，这种占地960亩的设备，建设成本也就60亿！
晶圆厂要数百亿！
可见整个晶圆代工，这样一个重资产行业竞争压力有多大。
特别是落后的时候、核心设备光刻机还受制于人……那种压力有多大。
国内谁敢投芯片生产制造？投晶圆厂？投光刻机？！
这个领域就是个无底洞！
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