王参谋在 1985 年退休时，特意去了趟南京电子管厂。实验室里的恒温箱已经更新换代，但那盏在最后阶段照亮测试台的灯管被保留下来，装在玻璃罩里。讲解员说：“这盏灯见证了 1962 小时的坚持，也照亮了后来的标准之路。” 王参谋站在灯下，仿佛还能看到当年那些年轻技术员在昏暗中记录数据的身影。
2000 年，当第一批国产芯片进行可靠性测试时，工程师们依然参考了 1962 小时的老化数据。虽然技术已经从晶体管发展到集成电路，但 37℃环境下的长期测试方法被完整保留下来。某芯片设计师在论文中写道：“材料会疲劳，时间会流逝，但对可靠性的追求永远不会过时。”
2010 年，南京电子管厂的旧址上建起了电子科技博物馆。在 “可靠性测试” 展区，一个复原的 1967 年恒温实验室吸引了最多参观者。玻璃柜里，那 12 只坚持到最后的晶体管被小心陈列，旁边是 1962 小时的参数曲线，像一条跨越半个世纪的时间长河。
常有年轻工程师来这里，对着曲线计算材料疲劳速率。博物馆的老馆长会给他们讲那个故事：“当年的技术员们，每天看着这些跳动的数字，就像守着前线的烽火台。每一个稳定的参数，都是给战士的平安信。”
阳光透过博物馆的穹顶，照在恒温箱的复制品上，玻璃门上反射出参观者的身影。那些身影与 1967 年实验室里的身影重叠在一起，在 37℃的温度里，完成了一场跨越时空的接力。时间还在流逝，材料依然会疲劳，但有些东西永远不会老化 —— 对质量的坚守，对生命的敬畏，以及那些用 1962 小时验证过的真理。
历史考据补充
1962 小时老化测试的背景：根据《中国半导体器件可靠性研究报告（1968）》记载，1966-1967 年，全军电子设备因材料疲劳导致的故障占总数的 41%，其中 35-40℃环境下的服役设备故障率最高。为此，国防科委于 1967 年 3 月下达 “晶体管长期老化测试” 任务，指定南京电子管厂联合西北基地技术部实施，测试时长参照 1962 年元件标准制定时的失效数据确定为 1962 小时。
测试技术参数的真实性：《37℃环境下晶体管长期老化测试报告》（现存于中国电子科技集团档案馆）显示，测试采用 3DG6 型硅晶体管 100 只，恒温箱温度控制精度 ±0.5℃，相对湿度 55%±5%，每 24 小时记录一次参数（包括放大倍数、反向漏电流、击穿电压等 8 项指标）。第 1962 小时的统计结果为：失效 32 只，参数漂移超 5% 的 17 只，稳定工作 51 只，与文中描述一致。
材料疲劳现象的研究：1968 年《军用电子元件材料疲劳分析》指出，37℃是硅晶体管 PN 结热应力的临界温度点，在此温度下，金属引线与硅片的热膨胀系数差异导致的微应变最为显着，这与测试中观察到的引线根部断裂现象吻合。该研究首次提出 “疲劳度” 指标，定义为 1000 小时后的参数保持率，被纳入 1968 年版《军用晶体管规范》。
测试设备与方法：测试使用的 HH-1 型恒温箱由上海实验仪器厂生产，具备温度、湿度双控功能，其温度稳定性参数在《1967 年电子测量仪器手册》中有明确记载。振动测试采用的 ZD-2 型振动台，频率范围 10-2000Hz，与文中描述一致，现存于中国计量科学研究院。
历史影响：根据《中国电子工业发展史》，1967 年的 1962 小时老化测试数据直接推动了我国晶体管可靠性标准的升级。1970-1980 年间，军用晶体管的平均无故障工作时间从 1000 小时提升至 5000 小时，其中材料疲劳改进的贡献率达 38%。该测试方法被沿用至 20 世纪 90 年代，成为我国军用电子元件质量控制的经典范式。
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