档案中 “运算芯片参数记录表”（10.11 00:00-01:00）显示：晶体管 T1 放大倍数 72、T2 放大倍数 73、T3 放大倍数 71，矩阵运算速度 0.69μs / 次，电压 5.02V，电流 1.2A，数据均在正常范围内，记录表每小时由李工、赵工双人核对签名，确保准确性。
存储芯片错误率统计表（10.10 12:00-10.13 12:00）按分钟记录：72 小时共 4320 分钟，错误次数累计 3 次（0.0007%），分别发生在 10.11 15:23、10.12 08:45、10.13 09:10，每次错误后 1 分钟内自动恢复，无连续错误，附错误时刻磁芯存储器电压波形图（无明显波动）。
示波器波形图页（10.12 12:00）显示：通信接口芯片输出信号波形（正弦波，幅度 5V，频率 1MHz）无畸变，上升沿、下降沿陡峭（符合信号标准），与常温下波形对比，差异≤5%，验证接口芯片低温下信号完整性。
异常标记单仅记录 1 次轻微异常：10.11 20:30，接口芯片响应延迟升至 0.095μs（仍≤0.1μs），5 分钟后恢复至 0.08μs，分析原因是试验箱温度短暂波动（-37.5℃至 - 36.5℃），温度稳定后参数回归正常，无影响整体稳定性。
七、稳定性数据分析与性能评估
10 月 13 日 14:00-16:00，孙工团队对采集的 4320 组数据进行系统分析，从整体稳定性、分类芯片性能、异常数据归因三个维度，评估芯片低温下的可靠性。
整体稳定性分析：72 小时内，芯片工作正常率 99.8%（仅 1 次轻微异常，无故障停机），核心参数（运算速度、错误率、延迟）均达标，且波动幅度小（如运算速度标准差 0.005μs），说明 “73 式” 芯片在 - 37℃环境下具备长期稳定运行能力，满足边防 72 小时无人值守需求。
分类芯片性能评估：运算核心芯片表现最优，放大倍数衰减≤12.5%，运算速度无明显下降；存储控制芯片次之，读写错误率极低（0.0007%），电压稳定性好；接口环境芯片虽出现 1 次延迟波动，但仍在达标范围内，三类芯片性能均符合实战要求。
异常数据归因分析：唯一轻微异常（接口延迟波动）与试验箱温度波动直接相关（相关系数 0.92），排除芯片本身缺陷；3 次电源切换无异常，说明芯片对电源波动耐受性强；升温后所有参数回归常态（如晶体管放大倍数恢复至 80），无不可逆性能衰减，芯片低温损伤风险为 0。
与设计目标对比：芯片工作正常率 99.8%（≥99.5%）、运算速度 0.68-0.7μs / 次（≥0.7μs / 次）、数据错误率 0.0007%（≤0.001%）、接口延迟 0.08-0.095μs（≤0.1μs），4 项核心指标均优于设计目标，低温稳定性验证通过。
八、问题定位与优化建议
基于数据分析，团队识别出 1 项潜在优化点（非故障），提出针对性建议，进一步提升芯片低温稳定性，确保实战万无一失。
潜在优化点：接口环境 PCB 的通信芯片在温度波动时（±0.5℃）易出现延迟波动，虽未超标，但存在优化空间，根源是芯片封装导热性不足（低温下热量散失过快，导致局部温度波动）。
优化建议一：改进芯片封装工艺，采用镀镍金属外壳（原塑料外壳），增强导热均匀性，减少温度波动对芯片参数的影响，北京电子管厂已提供镀镍封装样品，预计可使延迟波动幅度降低 50%。
优化建议二：在接口 PCB 的通信芯片周围增加 0.5mm 厚硅胶导热垫（耐 - 60℃），连接至 PCB 金属散热边，使芯片温度更稳定，测试显示导热垫可使芯片温度波动从 ±0.5℃降至 ±0.2℃。
优化建议三：在低温测试规范中增加 “温度波动测试”（模拟野外昼夜温差），每批量产设备需通过 ±1℃温度波动测试，确保极端环境下芯片性能稳定，建议被纳入后续生产测试流程。
九、校验成果与标准化落地
10 月 13 日 16:00-18:00，团队形成《“73 式” 电子密码机低温芯片稳定性校验总报告》，共 86 页，包含环境配置、测试数据、分析结论、优化建议，校验成果同步标准化落地。
制定《军用电子密码机低温芯片测试规范》，明确三大核心要求：测试温度覆盖 - 40℃至 - 30℃（含 - 37℃典型值）、持续时间≥72 小时、核心参数达标阈值（如错误率≤0.001%），规范成为后续 “73 式” 量产测试的强制标准。
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